埃賦隆半導體（Ampleon）今天宣布其參加即將在美國賓夕法尼亞州費城舉辦的IEEE MTT國際微波研討會（IMS）的細節。

在B廳1449號埃賦隆半導體的展臺上，該公司將展示最新的技術和解決方案。其中包括主打效率的新一代廣播產品的推出、基于最新一代LDMOS的全套雷達產品組合，以及全球最高性能的射頻能量應用用LDMOS晶體管和模塊。此外，在效率、成本和尺寸方面提供最佳折中的移動寬帶網絡用創新解決方案，以及面向工業、醫療和科研市場使用、極端堅固耐用的大功率晶體管的最新創新技術也將進行展示。

埃賦隆半導體的工作人員將在活動期間發表一些技術論文，如下所示：

- 6月12日，星期二 - 上海開發團隊負責人Levin Lin將會發表《Rugged Characterization of Bonding Wire Arrays in LDMOSFET-based Power Amplifiers（LDMOSFET功率放大器中鍵合線陣列的嚴格表征）》一文

- 6月13日，星期三 - 射頻創新工程師Andre Prata將會發表《Optimized DPD Feedback Loop for m-MIMO sub-6 GHz Systems（針對m-MIMO 6GHz以下系統的優化DPD反饋環路）》一文

- 6月15日，星期五 – 先進概念暨系統事業部負責人Sergio Pires將會發表《Power Amplifier Implementation Challenges in Front-Ends for 5G mobile broadband（5G移動寬帶前端中的功率放大器的實現挑戰）》一文

- 6月15日，星期五 - 應用暨組合管理副總裁John Gajadharsing將會發表《Synthesis of Advanced Doherty Amplifier Combiners（高級Doherty放大器合路器的綜合）》一文

以上演講的時間和地點將在現場提供。請參閱會議日程了解更多詳情。