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?ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅動器板加快產品上市時間

文章出處:電源 責任編輯:上海現易電子元器件有限公司 發表時間:2018-03-08

中國,北京 2018年3月7日 — Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板,在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性,同時減少創建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估板。

 

新評估板可用作更復雜拓撲(例如全橋或多電平轉換器)的構建模塊,以便對客戶解決方案進行完整的工作臺調試。它還可用作最終評估平臺或用在類似轉換器的配置中,以全面測試和評估ADI公司采用iCoupler?數字隔離技術的ADuM4135隔離柵極驅動器和高功率系統中的LT3999 DC-DC驅動器。


該高功率評估板使得Microsemi的SiC功率模塊能夠提供諸多優勢,例如:通用測試臺,提供更高功率密度以縮減尺寸和成本,通過隔離導電襯底和最小寄生電容實現更高的效率、性能和出色的熱管理。這些特性使該評估板適合很多應用,包括電動汽車(EV)充電、混合動力汽車(HEV)/EV車載充電、DC-DC轉換器、開關電源、高功率電機控制和航空作動器系統、等離子/半導體制造設備、激光和焊接、MRI和X光設備。


產品聚焦


  • 半橋拓撲

  • 1200 V、50 A @ 200 kHz

  • >100 kV/μs CMTI

  • 1.2 kV電氣隔離

  • 獨立的高端和低端PWM輸入(單一控制,70 ns死區用于測試)

  • 1 LT3999 + 1 ADuM4135(高端和低端)

  • 全面測試的去飽和保護

  • 用于V+、V-和AC相位連接的低電感和高電流端子

  • 支持標準SP1封裝的Microsemi半橋SiC功率模塊,即APTMC120AM20CT1AG和APTMC120AM55CT1AG 


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