12月4日，記者從英利集團了解到，該公司牽頭主編的《太陽能級多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測定方法》國家標準順利進入報批階段，預計2018年發(fā)布，將填補國內(nèi)多晶硅片、硅錠晶體缺陷密度測試方法的空白。下面就隨電源管理小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

　　據(jù)了解，國家標準《太陽能級多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測定方法》是采用酸性混合液對硅片表面進行化學拋光，再使用腐蝕液對硅片進行化學腐蝕，硅晶體缺陷被優(yōu)先腐蝕并顯現(xiàn)出來，通過對不同位置的硅錠取樣片，測量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度，其最終結(jié)果可以表征硅錠的晶體缺陷密度。

　　近年來，英利集團大力實施標準化戰(zhàn)略，高度重視標準化工作，已經(jīng)主持制定和參與制定IEC標準、國家標準、行業(yè)標準等各類標準共計77項，主持制定和參與制定標準總數(shù)量位居光伏行業(yè)前列。

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